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半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器专利内

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半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器专利内

分类号:H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/05(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/109(2006.01)I;H01S3/00(2006.01)I

★ 摘要

本创造供给半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的规划办法,选用两个半导体二级管构成双端泵浦激光晶体,输出808nm泵浦光通过非球面光学耦合系统及透镜耦合到激光晶体发生1064nm激光,再通过由五个平面镜构成的谐振腔进行腔内振动,并由Q开关调制;调制后的1064nm基频光两次通过二倍频晶体进行1064nm基频光到532nm倍频光的变换,未完成倍频变换的1064nm基频光与532nm倍频光通过三倍频晶体和频,得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切开的一面输出。该计划激光腔内具有较大模体积,倍频晶体处具有小的激光光斑,三倍频晶体选用布儒斯特角切开办法大大减小了腔内损耗,完成高功率激光输出。

★ 主权项

半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的规划办法,其特征在于:选用两个半导体二极管(1、9)构成双端泵浦办法泵浦激光晶体,其间一个半导体二极管(1)输出的808nm泵浦光通过由两个非球面透镜(2、3)构成的非球面光学耦合系统及透镜(4)耦合到激光晶体(5)内,另一个半导体二极管(9)输出的808nm泵浦光通过由两个非球面透镜(8、7)构成的非球面光学耦合系统及透镜(6)也耦合到激光晶体(5)内,发生的1064nm激光通过由五个平面镜(11、12、13、14、15)构成的谐振腔进行腔内振动,并由Q开关(10)进行调制;调制的1064nm基频光两次通过二倍频晶体(16)进行1064nm基频光到532nm倍频光的变换,未完成二次倍频变换的剩下1064nm基频光与532nm倍频光通过三倍频晶体(17)进行和频,得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切开的一面输出。